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SI1062X-T1-GE3 /Single N-Channel 20 V 0.42 O 1.8 nC Surface mount Power Mosfet - SC-89
SI1062X-T1-GE3的规格信息
SI1062X-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

系列：TrenchFET®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：2.7nC @ 8V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：43pF @ 10V

Vgs（最大值）：±8V

功率耗散（最大值）：220mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：420 毫欧 @ 500mA，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-89，SOT-490

封装形式Package：SC-89-3

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：20V

连续漏极电流ID：500mA

漏源极导通电阻RDS(ON)：350mOhms

栅源极阀值电压VGS(th)：0.4Vto1V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商SI1062X-T1-GE3
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深圳市坤融电子有限公司SI1062X-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI1062X-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
集好芯城SI1062X-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城SI1062X-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI1062X-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI1062X-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI1062X-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI1062X-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI1062X-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI1062X-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI1062X-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI1062X-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI1062X-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SI1062X-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si1062X-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI1062X-T1-GE3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905		小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI1062X-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市鑫智腾创科技有限公司SI1062X-T1-GE3深圳市福田区红荔路上航大厦西座410-813066809747
13066809747		李小姐Email:xiegp12@163.com询价
万三科技（深圳）有限公司SI1062X-T1-GE3深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516，18818598465
18818598465		王俊杰Email:darren@wansan.net.cn询价
深圳市惊羽科技有限公司SI1062X-T1-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回		彭小姐Email:1138536269@qq.com询价
SI1062X-T1-GE3及相关型号的PDF资料
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SI1062X-T1-GE3MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC89-3Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO201.55 Kbytes共8页SI1062X-T1-GE3的PDF下载地址无
SI1062X-T1-GE3MOSFET N-CH 20V SC89-3Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO200.97 Kbytes共8页SI1062X-T1-GE3的PDF下载地址无
SI1062X-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：- 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：420mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：220mW 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO158.10 Kbytes共8页SI1062X-T1-GE3的PDF下载地址无
SI1062X-T1-GE3SI1062X-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 0.53 A; 20 V; 3-Pin SC-89Siliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO200.97 Kbytes共8页SI1062X-T1-GE3的PDF下载地址无
SI1062X-T1-GE3的全球分销商及价格
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元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SI1062X-T1-GE3Siliconix / VishaySI1062X-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 0.53 A; 20 V; 3-Pin SC-89+500:$0.18
+1000:$0.17
+2500:$0.17
+5000:$0.16
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SI1062X-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V .5A NCH1+:￥3.79
10+:￥2.7
25+:￥2.1
100+:￥1.58
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10+:￥1.6701
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24000+:￥0.439000+:￥0.37
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI1062X-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V SC89-3$0.47000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI1062X-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V .5A NCH1+:￥3.79
10+:￥2.7
25+:￥2.1
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		SI1062X-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V .5A NCH1+:￥3.79
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Mouser 贸泽电子		SI1062X-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V .5A NCH1+:￥3.79
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Mouser 贸泽电子		SI1062X-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 8V Vgs SC89-31:¥4.0002
10:¥2.2261
100:¥1.1865
500:¥0.95259
3,000:¥0.61472
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立创商城		SI1062X-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：- 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：420mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：220mW 类型：N沟道1+:￥0.91
10+:￥0.89
30+:￥0.87
100+:￥0.86
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