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SI1065X-T1-E3/BKN /P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
SI1065X-T1-E3/BKN的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Channel TypeP

ConfigurationQuad Drain

Dimensions1.7 x 1.2 x 0.5 mm

Drain Current-0.94 A

Drain to Source On Resistance0.245 Ω

Drain to Source Voltage-12 V

Forward Transconductance5.18 S

Forward Voltage, Diode1.2 V

Gate to Source Voltage±8 V

Height0.02" (0.5mm)

Input Capacitance480 pF @ -6 V

Length0.066" (1.68mm)

Maximum Operating Temperature+150 °C

Minimum Operating Temperature-55 °C

Mounting TypeSurface Mount

Number of Elements per Chip1

Number of Pins6

Package TypeSC-89

Power Dissipation0.236 W

SeriesSI10 Series

Temperature Operating Range-55 to +150 °C

Turn Off Delay Time45 ns

Turn On Delay Time13 ns

Typical Gate Charge @ Vgs7.2 nC @ -5 V

Width0.047" (1.2mm)

供应商SI1065X-T1-E3/BKN
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