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SI1065X-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI1065X-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):12V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):-

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):156 毫欧 @ 1.18A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10.8nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):480pF @ 6V

功率 - 最大值:236mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-563,SOT-666

供应商器件封装:SC-89-6

其它名称:SI1065X-T1-E3TR

供应商SI1065X-T1-E3
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SI1065X-T1-E3P-Channel 12-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO109.44 Kbytes共6页SI1065X-T1-E3的PDF下载地址SI5943DU,SI6955ADQ,SI3481DV_06,SI7601DN,SI3552DV_05,SI2303BDS_08,SI1473DH,SI1469DH,SUM90P10-19L,SI4845DY
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