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SI1022R-T1-E3/BKN /60V (D-S) N-CH MOSFET W/ESD PROTECT
SI1022R-T1-E3/BKN的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Channel TypeN

ConfigurationSingle

Dimensions1.68 x 0.86 x 0.8 mm

Drain Current330 mA

Drain to Source On Resistance5 Ω

Drain to Source Voltage60 V

Forward Transconductance0.1 S

Forward Voltage, Diode1.3 V

Gate to Source Voltage±20 V

Height0.031" (0.8mm)

Input Capacitance30 pF @ 25 V

Junction to Ambient Thermal Resistance500 °C/W

Length0.066" (1.68mm)

Maximum Operating Temperature+150 °C

Minimum Operating Temperature-55 °C

Mounting TypeSurface Mount

Number of Elements per Chip1

Number of Pins3

Operating and Storage Temperature–55 to +150 C

Package TypeSC-75A

PolarizationN-Channel

Power Dissipation250 mW

SeriesSI10 Series

Temperature Operating Range-55 to +150 °C

Total Gate Charge0.6 pC

Turn Off Delay Time35 ns

Turn On Delay Time25 ns

Typical Gate Charge @ VgsMaximum of 0.6 nC @ 10 V

Voltage, Breakdown, Drain to Source60 V

Width0.034" (0.86mm)

供应商SI1022R-T1-E3/BKN
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