制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SC-89-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:350 mA, 500 mA

Rds On-漏源导通电阻:396 mOhms, 756 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:1.3 nC, 1.65 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:220 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI1

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:1 S, 2 S

下降时间:8 ns, 11 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns, 16 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:10 ns, 26 ns

典型接通延迟时间:9 ns, 11 ns

单位重量:3 mg