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SI1022R-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI1022R-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):330mA(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.25 欧姆 @ 500mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):30pF @ 25V

功率 - 最大值:250mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SC-75A

供应商器件封装:SC-75A

其它名称:SI1022R-T1-E3TR

供应商SI1022R-T1-E3
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