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SH8M2TB1 /Rohm Semiconductor/分立半导体产品
SH8M2TB1的规格信息
SH8M2TB1的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

特色产品:ECOMOS? Series MOSFETs

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.5A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):83 毫欧 @ 3.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.5nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):140pF @ 10V

功率 - 最大值:2W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SOP

其它名称:SH8M2TB1TR

供应商SH8M2TB1
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SH8M2TB1ROHM SemiconductorFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET Nch+Pch 30V/-30V 3.5A/-3.5A; MOSFET2500+:¥2.32
5000+:¥2.1601
12500+:¥2.08
25000+:¥2
62500+:¥1.97
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Mouser 贸泽电子
SH8M2TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Pch 30V/-30V 3.5A/-3.5A; MOSFET2,500:¥2.2939
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12500+:¥2.08
25000+:¥2
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