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SH8M11TB1 /MOSFET Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A
SH8M11TB1的规格信息
SH8M11TB1的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOP-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:3.5 A

Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms, 70 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V, 2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:1.9 nC, 4.2 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:ROHM Semiconductor

下降时间:3 ns, 12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8 ns, 18 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:18 ns, 35 ns

典型接通延迟时间:4 ns, 9 ns

供应商SH8M11TB1
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SH8M11TB1ROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A1:¥5.2206
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