制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOP-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:5 A, 4.5 A

Rds On-漏源导通电阻:30 mOhms, 40 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V, 2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:4 nC, 8 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:ROHM Semiconductor

下降时间:5 ns, 50 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:27 ns, 15 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:26 ns, 70 ns

典型接通延迟时间:6 ns, 7 ns