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SH8K22TB1 /Rohm Semiconductor/分立半导体产品
SH8K22TB1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

特色产品:ECOMOS? Series MOSFETs

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):45V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):46 毫欧 @ 4.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9.6nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):550pF @ 10V

功率 - 最大值:2W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SOP

其它名称:SH8K22TB1TR

供应商SH8K22TB1
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SH8K22TB1ROHM SemiconductorFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET Nch+Nch 45V 4.5A MOSFET2500+:¥2.8599
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