SED8840
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：9.5mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W 类型：双N沟道(共漏)
SED8840的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）-20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）10A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻9.5mΩ @ 10A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）1.7W
类型双N沟道(共漏)
SED8840
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| SED8840 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：9.5mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W 类型：双N沟道(共漏) | SINO-IC(光宇睿芯) |  | 407.19 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
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50+:￥0.5649
150+:￥0.5281
500+:￥0.4914
2500+:￥0.4751
5000+:￥0.467
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