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SED3032G /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.7V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：70W 类型：双N沟道

SED3032G的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）-30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）30A

栅源极阈值电压2.7V @ 250uA

漏源导通电阻8.5mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）70W

类型双N沟道

SED3032G

SED3032G的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SED3032G	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市博浩通科技有限公司	SED3032G	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
集好芯城	SED3032G	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	SED3032G	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SED3032G	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市惊羽科技有限公司	SED3032G	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价

SED3032G及相关型号的PDF资料

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SED3032G	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.7V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：70W 类型：双N沟道	SINO-IC(光宇睿芯)		430.44 Kbytes	共6页		无

SED3032G的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	SED3032G	SINO-IC(光宇睿芯)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.7V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：70W 类型：双N沟道	1+:￥1.2551 10+:￥0.9302 30+:￥0.8706 100+:￥0.8109 500+:￥0.7844 1000+:￥0.7713

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