SED10070GG
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9.8mΩ @ 39A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：170W 类型：N沟道
SED10070GG的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）70A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻9.8mΩ @ 39A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）170W
类型N沟道
SED10070GG
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| SED10070GG | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9.8mΩ @ 39A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：170W 类型：N沟道 | SINO-IC(光宇睿芯) |  | 415.88 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
SED10070GG的全球分销商及价格
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立创商城 | SED10070GG | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9.8mΩ @ 39A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：170W 类型：N沟道 | 1+:￥2.41
10+:￥1.81
30+:￥1.7
100+:￥1.59
500+:￥1.54
1000+:￥1.52
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