SED4060GM
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):65W 类型:N沟道
SED4060GM的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)60A
栅源极阈值电压2.2V @ 250uA
漏源导通电阻9.5mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)65W
类型N沟道
SED4060GM
SED4060GM及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| SED4060GM | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):65W 类型:N沟道 | SINO-IC(光宇睿芯) |  | 584.97 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
SED4060GM的全球分销商及价格
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 立创商城 | SED4060GM | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):65W 类型:N沟道 | 1+:¥1.9336 10+:¥1.4588 30+:¥1.3716 100+:¥1.2843 500+:¥1.2456 1000+:¥1.2264
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