SE4946
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:41mΩ @ 5.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2mW 类型:双N沟道
SE4946的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)6.5A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻41mΩ @ 5.3A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2mW
类型双N沟道
SE4946
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SE4946 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:41mΩ @ 5.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2mW 类型:双N沟道 | SINO-IC(光宇睿芯) |  | 314.76 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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 立创商城 | SE4946 | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:41mΩ @ 5.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2mW 类型:双N沟道 | 1+:¥1.1695 10+:¥0.8446 30+:¥0.7849 100+:¥0.7252 500+:¥0.6987 1000+:¥0.6856
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