SE47NS65TS
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):47A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:70mΩ @ 23A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):391W(Tc) 类型:N沟道
SE47NS65TS的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)47A
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻70mΩ @ 23A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)391W(Tc)
类型N沟道
SE47NS65TS
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SE47NS65TS | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):47A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:70mΩ @ 23A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):391W(Tc) 类型:N沟道 | SINO-IC(光宇睿芯) |  | 398.61 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
SE47NS65TS的全球分销商及价格
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 立创商城 | SE47NS65TS | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):47A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:70mΩ @ 23A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):391W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥17.97 10+:¥13.37 30+:¥12.52 100+:¥11.68 500+:¥11.3 1000+:¥11.12
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