SE4606的供应商，SE4606规格参数，SE4606的PDF资料

SE4606 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.5A,5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA,2V @ 250uA 漏源导通电阻：26mΩ @ 8.5A,10V;53mΩ @ 4.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W,2W 类型：N沟道和P沟道

SE4606的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）8.5A,5A

栅源极阈值电压3V @ 250uA,2V @ 250uA

漏源导通电阻26mΩ @ 8.5A,10V;53mΩ @ 4.9A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）3W,2W

类型N沟道和P沟道

SE4606

SE4606的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SE4606	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SE4606	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	SE4606	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
万三科技（深圳）有限公司	SE4606	深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园609	0755-21006672 18188642307	王小康	询价
深圳市博浩通科技有限公司	SE4606	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
集好芯城	SE4606	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市全秀电子有限公司	SE4606	东久创新科技园6栋12楼整层	13129599479 13129599479	刘群	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	SE4606	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市莱杰信科技有限公司	SE4606L	深圳市福田区华强北上步工业区102栋西座619/香港新界中环工業大廈112-115號	0755-28183929 18207603663,18718561290	吴小姐，曹先生	询价
万三科技（深圳）有限公司	SE4606L	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-23763516，18818598465 18818598465	王俊杰	询价

SE4606及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
SE4606	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.5A,5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA,2V @ 250uA 漏源导通电阻：26mΩ @ 8.5A,10V;53mΩ @ 4.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W,2W 类型：N沟道和P沟道	SINO-IC(光宇睿芯)		385.16 Kbytes	共8页		无
SE4606L	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A,5A 漏源电压（Vdss）：20V,18V 栅源极阈值电压：650mV @ 1mA(标准) 漏源导通电阻：32mΩ @ 4.1A,2.5V;42mΩ @ 4.9A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W,2W 类型：N沟道和P沟道	SINO-IC(光宇睿芯)		493.21 Kbytes	共8页		无

SE4606的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	SE4606	SINO-IC(光宇睿芯)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.5A,5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA,2V @ 250uA 漏源导通电阻：26mΩ @ 8.5A,10V;53mΩ @ 4.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W,2W 类型：N沟道和P沟道	5+:￥0.595781 50+:￥0.450839 150+:￥0.424217 500+:￥0.397595 2500+:￥0.385763 5000+:￥0.379917
立创商城	SE4606L	SINO-IC(光宇睿芯)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A,5A 漏源电压（Vdss）：20V,18V 栅源极阈值电压：650mV @ 1mA(标准) 漏源导通电阻：32mΩ @ 4.1A,2.5V;42mΩ @ 4.9A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W,2W 类型：N沟道和P沟道	5+:￥0.54455 50+:￥0.409604 150+:￥0.384818 500+:￥0.360032 2500+:￥0.349016 5000+:￥0.343573

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