图像仅供参考,请参阅规格书
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)25V,40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A
栅源极阈值电压1V @ 250uA,1.5V @ 250uA
漏源导通电阻33mΩ @ 4.5A,4.5V;28mΩ @ 9A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)3W,2W
类型N沟道和P沟道