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SD57060-01 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 7 Amp
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:7 A

Vds-漏源极击穿电压:65 V

增益:13 dB

输出功率:60 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:M250

封装:Bulk

配置:Single

高度:3.94 mm

长度:9.91 mm

工作频率:1 GHz

系列:SD57060-01

类型:RF Power MOSFET

宽度:6.09 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:2.5 S

通道模式:Enhancement

Pd-功率耗散:108 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

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SD57060-01STMicroelectronicsTRANSISTOR RF PWR LDMOST M25010 : $76.073
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SD57060-01STMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品1+:¥602.23
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SD57060-01STMicroelectronicsFET RF 65V 945MHZ M250Obsolete
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