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SD56120 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 14 Amp
SD56120的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:14 A

Vds-漏源极击穿电压:65 V

增益:14 dB

输出功率:100 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:M246

封装:Tube

配置:Dual

高度:5.08 mm

长度:29.08 mm

工作频率:1 GHz

系列:SD56120

类型:RF Power MOSFET

宽度:5.97 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:3 S

通道模式:Enhancement

Pd-功率耗散:217 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:60

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

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深圳市宇浩扬科技有限公司SD56120深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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SD56120STMicroelectronicsTrans RF MOSFET N-CH 60V 14A 5-Pin Case M-246 Tube
RoHS : Compliant
1 : $236.0
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25 : $177.0
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SD56120MSTMicroelectronicsTrans RF MOSFET N-CH 65V 14A 5-Pin Case M-252 Tube
RoHS : Compliant
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SD56120STMicroelectronicsFET RF 65V 860MHZ M246Obsolete
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SD56120CSTMicroelectronics射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor价格未公开
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Mouser 贸泽电子
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SD56120STMicroelectronicsTrans RF MOSFET N-CH 60V 14A 5-Pin Case M-246 Loose Piece$183.89999
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Verical
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Verical
SD56120MSTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品1+:¥1200.69
10+:¥1142.7560+:¥1170.15
120+:¥1170.07
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5+:¥622.46
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25+:¥552.66
50+:¥533.951+:¥451.2