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SD56060 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
SD56060的规格信息
SD56060的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性:N-Channel

Id-连续漏极电流:8 A

Vds-漏源极击穿电压:65 V

输出功率:60 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 200 C

安装风格:Screw Mount

封装 / 箱体:M246

类型:RF Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

通道数量:1 Channel

Pd-功率耗散:148 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:60

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

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