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SD56120C /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor
SD56120C的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:14 A

Vds-漏源极击穿电压:72 V

增益:14 dB

输出功率:100 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:M246

封装:Bulk

配置:Dual

工作频率:1 GHz

系列:SD56120

类型:RF Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

Pd-功率耗散:217 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:60

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

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