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SCH2080KEC /MOSFET SiC N-Ch MOSFET w/ SBD 1200V
SCH2080KEC的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:SiC

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel, SBD

Vds-漏源极击穿电压:1200 V

Id-连续漏极电流:40 A

Rds On-漏源导通电阻:80 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.6 V

Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 22 V

Qg-栅极电荷:106 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:262 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:SCH2x

晶体管类型:1 N-Channel

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:3.7 S

下降时间:28 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:33 ns

工厂包装数量:360

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:70 ns

典型接通延迟时间:37 ns

零件号别名:SCH2080KE

单位重量:38 g

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