FET 类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：11nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1220pF @ 10V
功率耗散（最大值）：1W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：72 毫欧 @ 2A，4.5V
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：6-SCH
封装/外壳：SOT-563，SOT-666
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs