FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.5A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：2.8nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：260pF @ 10V
Vgs（最大值）：±10V
功率耗散（最大值）：800mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：64 毫欧 @ 1.5A，4.5V
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563，SOT-666
封装形式Package：SOT-563
极性Polarity：N-CH
漏源极击穿电压VDSS：20V
连续漏极电流ID：3.5A
无铅情况/RoHs：否