FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：3.9nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：172pF @ 10V

功率耗散（最大值）：800mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：150 毫欧 @ 1A，10V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：6-SCH

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs