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RN1961FE(TE85L,F) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
RN1961FE(TE85L,F)的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

数据列表：RN1961-66FE -

标准包装：4,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基底（R1）（欧姆）：4.7k

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）：4.7k

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：30 @ 10mA，5V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

频率 - 跃迁：250MHz

功率 - 最大值：100mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商器件封装：ES6

其它名称：RN1961FE(TE85LF)TRRN1961FETE85LF

供应商RN1961FE(TE85L,F)
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13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
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Digi-Key 得捷电子		RN1961FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageTRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6Obsolete
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1,000:¥0.59212
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