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RN1107(T5L,F,T) / TRANSISTOR NPN SSM
RN1107(T5L,F,T)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

电流 - 集电极( Ic)(最大):100mA

晶体管类型:NPN - Pre-Biased

频率 - 转换:250MHz

电阻器 - 基( R1 ) (欧姆):10k

电流 - 集电极截止(最大):100nA (ICBO)

下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件:300mV @ 250µA, 5mA

电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V

供应商设备封装:SSM

封装:Tape & Reel (TR)

电阻器 - 发射极基( R 2 ) (欧姆):47k

功率 - 最大:100mW

标准包装:3,000

封装/外壳:SC-75, SOT-416

安装类型:Surface Mount

直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时:80 @ 10mA, 5V

其他名称:RN1107(T5LFT)CT

RoHS指令:Lead free / RoHS Compliant

配置:Single

晶体管极性:NPN

典型输入电阻:10 kOhms

直流集电极/增益hfe最小值:80

安装风格:SMD/SMT

集电极 - 发射极最大电压VCEO:50 V

发射极 - 基极电压VEBO:6 V

功率耗散:100 mW

集电极最大直流电流:100 mA

典型电阻器比率:0.213

连续集电极电流:100 mA

RoHS:RoHS Compliant

供应商RN1107(T5L,F,T)
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