数据列表:RN1101MFV-06MFV -
标准包装:8,000
类别:分立半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
系列:-
包装:带卷(TR)
晶体管类型:NPN - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10k
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,5V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
频率 - 跃迁:-
功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-723
供应商器件封装:VESM
其它名称:RN1102MFV (TL3,T)RN1102MFV(TL3,T)RN1102MFV(TL3T)TRRN1102MFV(TL3T)TR-NDRN1102MFV,L3F(BRN1102MFV,L3F(TRN1102MFVL3FRN1102MFVL3F(BTRRN1102MFVL3F(BTR-NDRN1102MFVL3F-NDRN1102MFVL3FTRRN1102MFVTL3T