供应商封装形式：VESM

最小直流电流增益：80@10mA@5V

Maximum Continuous DC Collector Current ：100

最高工作温度：150

包装高度：0.5

典型输入电阻：47

最大功率耗散：150

封装：Tape and Reel

最大集电极发射极饱和电压：0.3@0.25mA@5mA

包装宽度：0.8

安装：Surface Mount

PCB：3

包装长度：1.2

典型电阻器比率：1

配置：Single

类型：NPN

引脚数：3

最大集电极发射极电压：50

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：100mA

晶体管类型：NPN - Pre-Biased

电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆）：47k

电流 - 集电极截止（最大）：100nA (ICBO)

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：300mV @ 500µA, 5mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V

供应商设备封装：VESM

电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆）：47k

功率 - 最大：150mW

标准包装：8,000

封装/外壳：SOT-723

安装类型：Surface Mount

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：80 @ 10mA, 5V

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

其他名称：RN1104MFV(TL3T)CT

产品种类：Transistors Switching - Resistor Biased

RoHS：RoHS Compliant