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RN1106MFV(TL3,T) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
RN1106MFV(TL3,T)的规格信息
RN1106MFV(TL3,T)的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：8,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基底（R1）（欧姆）：4.7k

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）：47k

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：80 @ 10mA，5V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 500µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：-

功率 - 最大值：150mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-723

供应商器件封装：VESM

其它名称：RN1106MFV(TL3T)TRRN1106MFVTL3T

供应商RN1106MFV(TL3,T)
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13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司RN1106MFV(TL3,T)深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司RN1106MFV(TL3,T)航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城RN1106MFV(TL3,T)深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
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Arrow(艾睿)		RN1106MFV(TL3,T)Toshiba America Electronic Components, Inc.晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 - 分立半导体产品8000+:￥0.23
16000+:￥0.2
24000+:￥0.1799
56000+:￥0.1601
200000+:￥0.141+:￥1.04
10+:￥0.59
100+:￥0.25
1000+:￥0.19
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