制造商:Cree, Inc.
产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:是
晶体管极性:N-Channel
技术:Si
Vds-漏源极击穿电压:65 V
Rds On-漏源导通电阻:30 mOhms
增益:19 dB
输出功率:240 W
最大工作温度:+ 225 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:H-34288-4/2
封装:Reel
工作频率:1930 MHz to 1990 MHz
类型:RF Power MOSFET
商标:Wolfspeed / Cree
通道数量:1 Channel
产品类型:RF MOSFET Transistors
工厂包装数量:250
子类别:MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压:10 V