PTFB091507FH-V1-R250
/射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
PTFB091507FH-V1-R250的规格信息
制造商:Cree, Inc.
产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:是
晶体管极性:N-Channel
技术:Si
Vds-漏源极击穿电压:65 V
Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms
增益:20 dB
输出功率:160 W
最大工作温度:+ 225 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:H-34288-4/2
封装:Reel
工作频率:920 MHz to 960 MHz
类型:RF Power MOSFET
商标:Wolfspeed / Cree
通道数量:1 Channel
产品类型:RF MOSFET Transistors
工厂包装数量:250
子类别:MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
PTFB091507FH-V1-R250
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PTFB091507FH-V1-R250的全球分销商及价格
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Mouser 贸泽电子 | PTFB091507FH-V1-R250 | Wolfspeed / Cree | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET | 250:¥518.67
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