PTFB091802FC-V1-R250
/射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
PTFB091802FC-V1-R250的规格信息
制造商:Cree, Inc.
产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:是
晶体管极性:Dual N-Channel
技术:Si
Vds-漏源极击穿电压:65 V
Rds On-漏源导通电阻:150 mOhms
增益:19.5 dB
输出功率:180 W
最大工作温度:+ 225 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:H-37248-4
封装:Reel
工作频率:920 MHz to 960 MHz
类型:RF Power MOSFET
商标:Wolfspeed / Cree
通道数量:2 Channel
产品类型:RF MOSFET Transistors
工厂包装数量:250
子类别:MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
PTFB091802FC-V1-R250
PTFB091802FC-V1-R250及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| PTFB091802FC-V1-R250 | RF Mosfet | Wolfspeed, Inc. |  | 368.79 Kbytes | 共3页 |  | 无 |
PTFB091802FC-V1-R250的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Mouser 贸泽电子 | PTFB091802FC-V1-R250 | Wolfspeed / Cree | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET | 250:¥524.7381
|
PTFB091802FC-V1-R250的相关型号