PTFB082817FHV1XWSA1
/ Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin Case 34288 Tray
PTFB082817FHV1XWSA1的规格信息
供应商封装形式：Case 34288
最大频率：821
欧盟RoHS指令：Compliant
最高工作温度：200
通道模式：Enhancement
输出功率：50
包装高度：3.96
安装：Surface Mount
Typical Drain Efficiency ：29
渠道类型：N
封装：Tray
最大漏源电阻：50(Typ)@10V
包装宽度：9.78
典型功率增益：19.3
PCB：3
包装长度：23.11
最低工作温度：-40
最大漏源电压：65
引脚数：3
PTFB082817FHV1XWSA1
PTFB082817FHV1XWSA1及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| PTFB082817FHV1XWSA1 | IC FET RF LDMOS H-34288 | Infineon Technologies |  | 545.23 Kbytes | 共13页 |  | 无 |
PTFB082817FHV1XWSA1的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Digi-Key 得捷电子 | PTFB082817FHV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34288 | Obsolete |