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PSMN9R1-30YL,115 /MOSFET N-Ch 30V TrenchMOS logic level FET
PSMN9R1-30YL,115的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:LFPAK56-5

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:57 A

Rds On-漏源导通电阻:9.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:8.4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:52 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Nexperia

下降时间:7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:20 ns

工厂包装数量:1500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:18 ns

典型接通延迟时间:14 ns

单位重量:74 mg

供应商PSMN9R1-30YL,115
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深圳市辉华拓展电子有限公司PSMN9R1-30YL,115深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897
蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司PSMN9R1-30YL,115深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司PSMN9R1-30YL,115深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市博浩通科技有限公司PSMN9R1-30YL,115华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
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深圳市天卓伟业电子有限公司PSMN9R1-30YL,115深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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集好芯城PSMN9R1-30YL,115深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司PSMN9R1-30YL,115深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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芯莱德电子(香港)有限公司PSMN9R1-30YL,115深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市高捷芯城科技有限公司PSMN9R1-30YL,115深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司PSMN9R1-30YL,115深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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深圳市高捷半导体有限公司PSMN9R1-30YL,115深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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深圳市科思奇电子科技有限公司PSMN9R1-30YL,115上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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深圳市智连鑫科技有限公司PSMN9R1-30YL,115深圳市龙岗区龙岗街道新生村新围4巷7号一楼13357276588
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深圳市芯泽盛世科技有限公司PSMN9R1-30YL,115龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市宇浩扬科技有限公司PSMN9R1-30YL,115深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司PSMN9R1-30YL,115深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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PSMN9R1-30YL,115Nexperia(安世)MOS(场效应管)1+:¥3.06
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