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PSMN2R5-60PLQ /MOSFET N-Channel MOSFET
PSMN2R5-60PLQ的规格信息
PSMN2R5-60PLQ的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:150 A

Rds On-漏源导通电阻:5.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.45 V

Qg-栅极电荷:223 nC

Pd-功率耗散:349 W

配置:Single

封装:Tube

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Nexperia

下降时间:128 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:119 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:224 ns

典型接通延迟时间:71 ns

单位重量:6 g

供应商PSMN2R5-60PLQ
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