PSMN2R0-30YLE,115
/MOSFET N-channel 30 V 2 mo FET
PSMN2R0-30YLE,115的规格信息
制造商:Nexperia
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:LFPAK56-5
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:100 A
Rds On-漏源导通电阻:1.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:87 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:272 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
晶体管类型:1 N-Channel
商标:Nexperia
下降时间:29.5 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:55.7 ns
工厂包装数量:1500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:41.5 ns
典型接通延迟时间:32.7 ns
单位重量:85.600 mg
PSMN2R0-30YLE,115
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