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PSMN2R4-30MLD /连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 1mA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):91W(Tc) 类型:N沟道
PSMN2R4-30MLD的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)70A(Tc)

栅源极阈值电压2.2V @ 1mA

漏源导通电阻2.4mΩ @ 25A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)91W(Tc)

类型N沟道

供应商PSMN2R4-30MLD
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深圳市百域芯科技有限公司PSMN2R4-30MLD世纪汇都会轩45070755-82788062
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深圳市高捷半导体有限公司PSMN2R4-30MLD深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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深圳市科思奇电子科技有限公司PSMN2R4-30MLD上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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深圳市智连鑫科技有限公司PSMN2R4-30MLDX深圳市龙岗区龙岗街道新生村新围4巷7号一楼13357276588
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PSMN2R4-30MLDN-channel 30 V, 2.4 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPowerS3 Technology NEXPERIA[Nexperia B.V. All rights reserved]NEXPERIA[Nexperia B.V. All rights reserved]的LOGO724.74 Kbytes共13页PSMN2R4-30MLD的PDF下载地址
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PSMN2R4-30MLD的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
PSMN2R4-30MLDXNXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N-Channel 2.4mOhm1500+:¥2.7
3000+:¥2.45
7500+:¥2.28
10500+:¥2.19
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100+:¥2.7
1000+:¥2.5001
1500+:¥2.3
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PSMN2R4-30MLD115NXP USA Inc.N-CHANNEL POWER MOSFET$0.22000
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PSMN2R4-30MLDXNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33$0.70000
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Digi-Key 得捷电子
PSMN2R4-30MLDXNXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N-Channel 2.4mOhm1500+:¥2.7
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Mouser 贸泽电子
PSMN2R4-30MLDXNexperiaMOSFET 30V N-Channel 2.4mOhm1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
1,500:¥2.7007
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Mouser 贸泽电子
PSMN2R4-30MLDXNXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N-Channel 2.4mOhm1500+:¥2.7
3000+:¥2.45
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10500+:¥2.19
37500+:¥2.12
75000+:¥2.08
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10+:¥3.8401
100+:¥2.7
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1500+:¥2.3
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PSMN2R4-30MLDNexperia(安世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 1mA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):91W(Tc) 类型:N沟道1+:¥3.42
10+:¥3.33
30+:¥3.27
100+:¥3.21
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PSMN2R4-30MLDXNexperia(安世)MOS(场效应管)1+:¥5.48
10+:¥5.34
30+:¥5.24
100+:¥5.14