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PSMN2R0-30PL,127 /MOSFET N-CH 30V 2.1 mOhm Logic Level MOSFET
PSMN2R0-30PL,127的规格信息
PSMN2R0-30PL,127的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:2.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:117 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:211 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Nexperia

下降时间:59 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:125 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:111 ns

典型接通延迟时间:63 ns

单位重量:6 g

供应商PSMN2R0-30PL,127
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深圳市辉华拓展电子有限公司PSMN2R0-30PL,127深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897		蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司PSMN2R0-30PL,127深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市博浩通科技有限公司PSMN2R0-30PL,127华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
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深圳市天卓伟业电子有限公司PSMN2R0-30PL,127深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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集好芯城PSMN2R0-30PL,127深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司PSMN2R0-30PL,127深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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芯莱德电子（香港）有限公司PSMN2R0-30PL,127深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司PSMN2R0-30PL,127深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司PSMN2R0-30PL,127深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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深圳市高捷半导体有限公司PSMN2R0-30PL,127深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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深圳市智连鑫科技有限公司PSMN2R0-30PL,127深圳市龙岗区龙岗街道新生村新围4巷7号一楼13357276588
13357276588		张小姐Email:350367849@qq.com询价
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司PSMN2R0-30PL,127深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市毅创腾电子科技有限公司PSMN2R0-30PL,127深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市芯奕科技有限公司PSMN2R0-30PL,127深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
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深圳市华芯盛世科技有限公司PSMN2R0-30PL,127深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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深圳市良普科电子有限公司PSMN2R0-30PL,127华强北上步工业区501栋503室0755-82568696
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深圳市惊羽科技有限公司PSMN2R0-30PL,127深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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PSMN2R0-30PL,127MOSFET N-CH 30V 100A TO220ABNexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO713.66 Kbytes共13页PSMN2R0-30PL,127的PDF下载地址无
PSMN2R0-30PL,127连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.15V @ 1mA 漏源导通电阻：2.1mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：211W(Tc) 类型：N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO713.66 Kbytes共13页PSMN2R0-30PL,127的PDF下载地址无
PSMN2R0-30PL,127的全球分销商及价格
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
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Digi-Key 得捷电子		PSMN2R0-30PL,127NXP SemiconductorsNOW NEXPERIA PSMN2R0-30PL - 100AActive
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10+:￥2.436
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