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PSMN1R9-40YSDX /PSMN1R9-40YSD/SOT669/LFPAK
PSMN1R9-40YSDX的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装Digi-Reel® 得捷定制卷带

系列TrenchMOS™

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)200A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)1.9 毫欧 @ 25A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.6V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)80nC @ 10V

Vgs(最大值)±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)6198pF @ 20V

FET 功能肖特基二极管(体)

功率耗散(最大值)194W(Ta)

工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型表面贴装型

供应商器件封装LFPAK56,Power-SO8

封装/外壳SC-100,SOT-669

供应商PSMN1R9-40YSDX
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深圳市辉华拓展电子有限公司PSMN1R9-40YSDX深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市芯幂科技有限公司PSMN1R9-40YSDX深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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