图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:NXP
产品种类:MOSFET
RoHS:是
商标:NXP Semiconductors
Id-连续漏极电流:100 A
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Rds On-漏源导通电阻:1.7 mOhms
晶体管极性:N-Channel
Pd-功率耗散:306 W
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
封装:Tube
下降时间:87 ns
上升时间:163 ns
工厂包装数量:1000
典型关闭延迟时间:174 ns
典型接通延迟时间:104 ns