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PSMN1R5-30YLC /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.95V @ 1mA 漏源导通电阻：1.55mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：179W 类型：N沟道
PSMN1R5-30YLC的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）100A

栅源极阈值电压1.95V @ 1mA

漏源导通电阻1.55mΩ @ 25A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）179W

类型N沟道

供应商PSMN1R5-30YLC
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现代芯城（深圳）科技有限公司PSMN1R5-30YLCwww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司PSMN1R5-30YLC深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市芯奕科技有限公司PSMN1R5-30YLC,115深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
深圳市泓建半导体有限公司PSMN1R5-30YLC深圳市福田区华强北街道福强社区深南中路2070号电子科技大厦C座7B1218617195508
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深圳市辉华拓展电子有限公司PSMN1R5-30YLC,115深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市坤融电子有限公司PSMN1R5-30YLC航都大厦10I0755-23990975
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深圳和润天下电子科技有限公司PSMN1R5-30YLC深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
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深圳市天卓伟业电子有限公司PSMN1R5-30YLC深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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集好芯城PSMN1R5-30YLC深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司PSMN1R5-30YLC,115深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市德州众泰科技有限公司PSMN1R5-30YLC深圳市福田区汉国中心55楼0755-82575351
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深圳市百域芯科技有限公司PSMN1R5-30YLC世纪汇都会轩45070755-82788062
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集好芯城PSMN1R5-30YLC深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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芯莱德电子（香港）有限公司PSMN1R5-30YLC,115深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市高捷芯城科技有限公司PSMN1R5-30YLC深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司PSMN1R5-30YLC,115深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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深圳市瑞浩芯科技有限公司PSMN1R5-30YLC深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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PSMN1R5-30YLC及相关型号的PDF资料
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PSMN1R5-30YLCNextPower 25 V & 30 V MOSFETs in LFPAK(Power-SO8) PHILIPS[NXP Semiconductors]PHILIPS[NXP Semiconductors]的LOGO1803.2 Kbytes共8页PSMN1R5-30YLC的PDF下载地址无
PSMN1R5-30YLC,115MOSFET N-Ch 30V 1.55mOhmsNexperiaNexperia的LOGO918.53 Kbytes共15页PSMN1R5-30YLC,115的PDF下载地址无
PSMN1R5-30YLC,115MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO323.72 Kbytes共14页PSMN1R5-30YLC,115的PDF下载地址无
PSMN1R5-30YLC,115连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.95V @ 1mA 漏源导通电阻：1.55mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：179W(Tc) 类型：N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO930.98 Kbytes共15页PSMN1R5-30YLC,115的PDF下载地址无
PSMN1R5-30YLC_15N-channel 30 V 1.55mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology PHILIPS[NXP Semiconductors]PHILIPS[NXP Semiconductors]的LOGO355.98 Kbytes共15页PSMN1R5-30YLC_15的PDF下载地址无
PSMN1R5-30YLC的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		PSMN1R5-30YLC,115NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 30V 1.55mOhms1500+:￥3.6
3000+:￥3.36
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Digi-Key 得捷电子		PSMN1R5-30YLC,115NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 30V 1.55mOhms1500+:￥3.6
3000+:￥3.36
7500+:￥3.2
10500+:￥3.07
37500+:￥2.98
75000+:￥2.88
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		PSMN1R5-30YLC,115Nexperia USA Inc.MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56$0.90000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		PSMN1R5-30YLC,115NexperiaMOSFET N-Ch 30V 1.55mOhms1:¥8.5315
10:¥7.3111
100:¥5.6274
500:¥4.972
1,000:¥3.9211
1,500:¥3.9211
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		PSMN1R5-30YLC,115NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 30V 1.55mOhms1500+:￥3.6
3000+:￥3.36
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10500+:￥3.07
37500+:￥2.98
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10+:￥5.3301
100+:￥4.12
500+:￥3.64
1000+:￥3.55
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9000+:￥3.1799
24000+:￥3.09
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		PSMN1R5-30YLCNexperia(安世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.95V @ 1mA 漏源导通电阻：1.55mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：179W 类型：N沟道1+:￥4.61
10+:￥3.49
30+:￥3.29
100+:￥3.08
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		PSMN1R5-30YLC,115Nexperia(安世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.95V @ 1mA 漏源导通电阻：1.55mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：179W(Tc) 类型：N沟道1+:￥3.28
10+:￥2.37
30+:￥2.2
100+:￥2.03
500+:￥1.95
1000+:￥1.92
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