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PSMN1R5-30YLC /连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.95V @ 1mA 漏源导通电阻:1.55mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):179W 类型:N沟道
PSMN1R5-30YLC的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)100A

栅源极阈值电压1.95V @ 1mA

漏源导通电阻1.55mΩ @ 25A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)179W

类型N沟道

供应商PSMN1R5-30YLC
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PSMN1R5-30YLC,115连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.95V @ 1mA 漏源导通电阻:1.55mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):179W(Tc) 类型:N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO930.98 Kbytes共15页PSMN1R5-30YLC,115的PDF下载地址
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PSMN1R5-30YLC的全球分销商及价格
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PSMN1R5-30YLC,115NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 30V 1.55mOhms1500+:¥3.6
3000+:¥3.36
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PSMN1R5-30YLC,115NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 30V 1.55mOhms1500+:¥3.6
3000+:¥3.36
7500+:¥3.2
10500+:¥3.07
37500+:¥2.98
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PSMN1R5-30YLC,115Nexperia USA Inc.MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56$0.90000
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PSMN1R5-30YLC,115NexperiaMOSFET N-Ch 30V 1.55mOhms1:¥8.5315
10:¥7.3111
100:¥5.6274
500:¥4.972
1,000:¥3.9211
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PSMN1R5-30YLC,115NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 30V 1.55mOhms1500+:¥3.6
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PSMN1R5-30YLCNexperia(安世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.95V @ 1mA 漏源导通电阻:1.55mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):179W 类型:N沟道1+:¥4.61
10+:¥3.49
30+:¥3.29
100+:¥3.08
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1000+:¥2.94
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PSMN1R5-30YLC,115Nexperia(安世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.95V @ 1mA 漏源导通电阻:1.55mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):179W(Tc) 类型:N沟道1+:¥3.28
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