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PSMN1R2-30YLDX /MOSFET N-CH 30V 1.2 mOhm logic level MOSFET
PSMN1R2-30YLDX的规格信息
PSMN1R2-30YLDX的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:LFPAK56-5

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:1.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:32 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:194 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Nexperia

下降时间:25.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:31 ns

工厂包装数量:1500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:38.7 ns

典型接通延迟时间:25.3 ns

供应商PSMN1R2-30YLDX
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深圳市芯奕科技有限公司PSMN1R2-30YLDX深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司PSMN1R2-30YLDX深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市创科捷佳电子有限公司PSMN1R2-30YLDX深圳市福田区中航路鼎诚大厦10楼1009-11090755-82722720
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深圳市辉华拓展电子有限公司PSMN1R2-30YLDX深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市辉华拓展电子有限公司PSMN1R2-30YLDX深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市高捷芯城科技有限公司PSMN1R2-30YLDX深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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万三科技(深圳)有限公司PSMN1R2-30YLDX深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
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深圳市高捷半导体有限公司PSMN1R2-30YLDX深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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深圳市芯泽盛世科技有限公司PSMN1R2-30YLDX龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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PSMN1R2-30YLDXMOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO305.22 Kbytes共13页PSMN1R2-30YLDX的PDF下载地址
PSMN1R2-30YLDX连续漏极电流(Id)(25°C 时):250A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 2mA 漏源导通电阻:1.24mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):194W(Tc) 类型:N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO305.22 Kbytes共13页PSMN1R2-30YLDX的PDF下载地址
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10+:¥8.65
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Digi-Key 得捷电子
PSMN1R2-30YLDXNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56$1.05000
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Mouser 贸泽电子
PSMN1R2-30YLDXNexperiaMOSFET N-CH 30V 1.2 mOhm logic level MOSFET1:¥8.9157
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Mouser 贸泽电子
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立创商城
PSMN1R2-30YLDXNexperia(安世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):250A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 2mA 漏源导通电阻:1.24mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):194W(Tc) 类型:N沟道1+:¥8.15
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