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PMXB56ENZ /MOSFET 30 V, N-channel Trench MOSFET
PMXB56ENZ的规格信息
PMXB56ENZ的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DFN-1010D-3

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:3.2 A

Rds On-漏源导通电阻:49 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:3.6 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:400 mW

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:Nexperia

下降时间:2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 s

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:11 ns

典型接通延迟时间:3 s

单位重量:1.200 mg

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18129819897
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PMXB56ENZNXP SemiconductorsFET - 单 TrenchMOS?? 分立半导体产品5000+:¥1.22
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PMXB56ENZNexperia USA Inc.30 V, N-CHANNEL TRENCH MOSFET$0.06000
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PMXB56ENZNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3$0.42000
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10000+:¥1.13
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PMXB56ENZNexperiaMOSFET 30 V, N-channel Trench MOSFET1:¥3.4578
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