销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Arrow(艾睿) | PMXB360ENEAZ | NXP Semiconductors | FET - 单 TrenchMOS?? 分立半导体产品 | 5000+:¥1.561+:¥3.71 10+:¥2.46 100+:¥1.77 1000+:¥1.6701 5000+:¥1.59 10000+:¥1.46 25000+:¥1.42 50000+:¥1.39 100000+:¥1.34991+:¥1.83 |
 Digi-Key 得捷电子 | PMXB360ENEAZ | NXP USA Inc. | PMXB360ENEA - 80 V, N-CHANNEL TR | $0.07000 |
 Digi-Key 得捷电子 | PMXB360ENEAZ | NXP Semiconductors | FET - 单 TrenchMOS?? 分立半导体产品 | 5000+:¥1.56 |
 Mouser 贸泽电子 | PMXB360ENEAZ | Nexperia | MOSFET 80 V, N-channel Trench MOSFET | 1:¥2.9154 10:¥2.2148 100:¥1.1978 1,000:¥0.89948 5,000:¥0.77631
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 Mouser 贸泽电子 | PMXB360ENEAZ | NXP Semiconductors | FET - 单 TrenchMOS?? 分立半导体产品 | 5000+:¥1.561+:¥3.71 10+:¥2.46 100+:¥1.77 1000+:¥1.6701 5000+:¥1.59 10000+:¥1.46 25000+:¥1.42 50000+:¥1.39 100000+:¥1.3499 |
 立创商城 | PMXB360ENEAZ | Nexperia(安世) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.1A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:2.7V @ 250uA 漏源导通电阻:450mΩ @ 1.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:N沟道 | 1+:¥1.38 10+:¥1.34 30+:¥1.32 100+:¥1.29
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