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PMWD30UN,518 /NXP Semiconductors/分立半导体产品
PMWD30UN,518的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchMOS??

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):33 毫欧 @ 3.5A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):28nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1478pF @ 10V

功率 - 最大值:2.3W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

供应商器件封装:8-TSSOP

其它名称:568-2364-2934057599518PMWD30UN /T3

供应商PMWD30UN,518
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