FET类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.2A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.2V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：950mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：2.3nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：116pF @ 10V
Vgs（最大值）：±8V
功率耗散（最大值）：360mW（Ta），5.68W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：447 毫欧 @ 1.2A，4.5V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：3-XDFN 裸露焊盘
封装形式Package：DFN-D
极性Polarity：P-CH
漏源极击穿电压VDSS：20V
连续漏极电流ID：1.2A
无铅情况/RoHs：否