PJA3434_R1_00001
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):750mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:400mΩ @ 600mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道
PJA3434_R1_00001的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)750mA
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻400mΩ @ 600mA,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)500mW
类型N沟道
PJA3434_R1_00001
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PJA3434_R1_00001 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):750mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:400mΩ @ 600mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道 | PANJIT(强茂) |  | 354.4 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
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 立创商城 | PJA3434_R1_00001 | PANJIT(强茂) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):750mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:400mΩ @ 600mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道 | 10+:¥0.40024 100+:¥0.30028 300+:¥0.28192 1000+:¥0.26356 5000+:¥0.2554 10000+:¥0.251368
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