PJA3430_R1_00001
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:400mΩ @ 500mA,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道
PJA3430_R1_00001的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)2A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻400mΩ @ 500mA,1.8V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.25W
类型N沟道
PJA3430_R1_00001
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PJA3430_R1_00001 | 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET â ESD Protected | PANJIT[Pan Jit International Inc.] | ![PANJIT[Pan Jit International Inc.]的LOGO](/PdfSupLogo/114PANJIT.GIF) | 301.04 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
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 立创商城 | PJA3430_R1_00001 | PANJIT(强茂) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:400mΩ @ 500mA,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道 | 10+:¥0.326827 100+:¥0.239062 300+:¥0.222942 1000+:¥0.206822 5000+:¥0.199657 10000+:¥0.196117
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